Считается, что процессы, происходящие в р-n-переходе, должны быть известны каждому студенту, готовящемуся стать инженером в области электроники и радиотехники. Однако, если проанализировать публикации на эту тему и сопоставить разные трактовки происходящих в р-n переходе процессов (а это попытался сделать автор, опираясь на свой более чем 40-летний практический опыт в области анализа отказов полупроводниковых приборов), то оказывается, что и у практиков, и у теоретиков нет полной ясности в объяснении некоторых парадоксальных эффектов, например, почему p-n-переход охлаждается, а не нагревается при протекании по нему большого тока. Возникают даже дискуссии специалистов, в ходе которых утверждается, что полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом, все еще не изучен полностью.
Видимо суть в том, что известные модели физических процессов, происходящих в p-n-переходе, построены для анализа переноса электрического заряда через переход и не позволяют глубоко анализировать динамику теплопереноса.
В дискуссионной по характеру статье излагается новый взгляд на процессы, происходящие в р-n-переходах как при прямом напряжении, так и при превышении обратного напряжения выше порогового, и предлагается новая "физическая модель" процессов, происходящих в р-n-переходе, позволяющая объяснить эти парадоксальные эффекты.